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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
10.6
17.2
写入速度,GB/s
9.0
13.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3228
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
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Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
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