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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
50
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
50
读取速度,GB/s
10.6
13.2
写入速度,GB/s
9.0
12.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2549
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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