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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
10.6
14.8
写入速度,GB/s
9.0
10.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2849
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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