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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
10.6
17.7
写入速度,GB/s
9.0
13.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3304
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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