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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
42
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
31
读取速度,GB/s
10.6
18.0
写入速度,GB/s
9.0
14.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3497
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KN2M64-ETB 8GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
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