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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
42
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
31
读取速度,GB/s
10.6
16.3
写入速度,GB/s
9.0
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2995
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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