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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
42
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
33
读取速度,GB/s
10.6
16.4
写入速度,GB/s
9.0
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2949
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
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Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
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