RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB

总分
star star star star star
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

总分
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 42
    左右 -40% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    10.6 left arrow 16.7
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 12.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2423 left arrow 2982

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM的比较

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB RAM的比较

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
内存RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
内存RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
内存RAM