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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
42
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
20
读取速度,GB/s
10.6
19.0
写入速度,GB/s
9.0
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3120
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
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