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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
28
读取速度,GB/s
10.6
12.9
写入速度,GB/s
9.0
10.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2619
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-075.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
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