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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
10.6
18.1
写入速度,GB/s
9.0
16.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3672
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
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Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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