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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

总分
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

总分
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InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB 需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 42
    左右 -31% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.5 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    10.6 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 10.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2423 left arrow 2714

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM的比较

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内存RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
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内存RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
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内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
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内存RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
内存RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
内存RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
内存RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
内存RAM