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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905701-029.A00G 16GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
42
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
41
读取速度,GB/s
10.6
14.7
写入速度,GB/s
9.0
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2186
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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