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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
42
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
24
读取速度,GB/s
10.6
16.0
写入速度,GB/s
9.0
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2923
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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