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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston KM0VW4-MID 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Kingston KM0VW4-MID 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KM0VW4-MID 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
42
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
38
读取速度,GB/s
10.6
14.7
写入速度,GB/s
9.0
10.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2493
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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