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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
10.6
15.0
写入速度,GB/s
9.0
11.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2549
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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