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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
42
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
24
读取速度,GB/s
10.6
15.8
写入速度,GB/s
9.0
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2761
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
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