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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

总分
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

总分
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Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 42
    左右 -17% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.6 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    10.6 left arrow 14.6
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 7.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2423 left arrow 2183

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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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内存RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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内存RAM
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Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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