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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
60
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
60
读取速度,GB/s
10.6
14.9
写入速度,GB/s
9.0
12.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2511
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
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