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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.9
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
10.6
10.9
写入速度,GB/s
9.0
10.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2587
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
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