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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
73
左右 -232% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
22
读取速度,GB/s
3,510.5
17.7
写入速度,GB/s
1,423.3
14.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3392
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
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