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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
73
左右 -284% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
19
读取速度,GB/s
3,510.5
19.6
写入速度,GB/s
1,423.3
16.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3165
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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