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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
73
左右 -204% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
24
读取速度,GB/s
3,510.5
14.7
写入速度,GB/s
1,423.3
11.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3012
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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