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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
73
左右 -52% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
48
读取速度,GB/s
3,510.5
11.7
写入速度,GB/s
1,423.3
13.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2841
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
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