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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
3,510.5
19.5
写入速度,GB/s
1,423.3
16.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3798
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
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