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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
73
左右 -204% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.5
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
24
读取速度,GB/s
3,510.5
19.4
写入速度,GB/s
1,423.3
16.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
4063
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
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