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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
73
左右 -232% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
22
读取速度,GB/s
3,510.5
18.5
写入速度,GB/s
1,423.3
13.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3295
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
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