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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 -170% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
27
读取速度,GB/s
3,510.5
18.1
写入速度,GB/s
1,423.3
13.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3365
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
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