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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
73
左右 -78% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
41
读取速度,GB/s
3,510.5
16.3
写入速度,GB/s
1,423.3
13.5
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3146
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
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