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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
73
左右 -265% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
20
读取速度,GB/s
3,510.5
19.7
写入速度,GB/s
1,423.3
14.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3400
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
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Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
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