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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
73
左右 -115% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.0
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
34
读取速度,GB/s
3,510.5
14.5
写入速度,GB/s
1,423.3
10.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2337
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
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