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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
73
左右 -204% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
24
读取速度,GB/s
3,510.5
16.0
写入速度,GB/s
1,423.3
11.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2843
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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