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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
3,510.5
18.1
写入速度,GB/s
1,423.3
13.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3534
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
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