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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
73
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
29
读取速度,GB/s
3,510.5
18.1
写入速度,GB/s
1,423.3
14.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3673
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Elpida EBJ41UF8EDU0-DJ-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
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