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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
73
左右 -121% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
33
读取速度,GB/s
3,510.5
16.2
写入速度,GB/s
1,423.3
12.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2941
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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