RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
73
左右 -115% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
34
读取速度,GB/s
3,510.5
14.9
写入速度,GB/s
1,423.3
11.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2831
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link