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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
73
左右 -204% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
24
读取速度,GB/s
3,510.5
16.2
写入速度,GB/s
1,423.3
13.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2839
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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