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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
73
左右 -74% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
42
读取速度,GB/s
3,510.5
14.5
写入速度,GB/s
1,423.3
13.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2750
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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