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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
22.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
73
左右 -204% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.6
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
24
读取速度,GB/s
3,510.5
22.7
写入速度,GB/s
1,423.3
18.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
4202
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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