RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
73
左右 -204% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.9
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
24
读取速度,GB/s
3,510.5
20.1
写入速度,GB/s
1,423.3
18.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
4207
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link