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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
22.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
73
左右 -217% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
20.1
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
23
读取速度,GB/s
3,510.5
22.4
写入速度,GB/s
1,423.3
20.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
4421
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
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