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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
73
左右 -204% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
24
读取速度,GB/s
3,510.5
16.8
写入速度,GB/s
1,423.3
11.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3092
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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