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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
70
73
左右 -4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
70
读取速度,GB/s
3,510.5
15.8
写入速度,GB/s
1,423.3
8.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
1946
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
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