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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 9905625-139.A00G 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
73
左右 -217% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
23
读取速度,GB/s
3,510.5
17.5
写入速度,GB/s
1,423.3
13.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3195
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
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