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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 9905663-016.A00G 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
73
左右 -128% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
32
读取速度,GB/s
3,510.5
14.6
写入速度,GB/s
1,423.3
7.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2261
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
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