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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 9905701-018.A00G 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
73
左右 -217% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
23
读取速度,GB/s
3,510.5
17.7
写入速度,GB/s
1,423.3
13.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3214
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
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Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
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