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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
73
左右 -192% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.9
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
25
读取速度,GB/s
3,510.5
19.3
写入速度,GB/s
1,423.3
15.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3751
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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