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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KMKYF9-MIB 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
73
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.0
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
35
读取速度,GB/s
3,510.5
13.9
写入速度,GB/s
1,423.3
10.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2434
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
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