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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KY7N41-MIE 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston KY7N41-MIE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KY7N41-MIE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
73
左右 -121% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
33
读取速度,GB/s
3,510.5
16.2
写入速度,GB/s
1,423.3
12.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2948
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X3XCFP-HYA 8GB
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Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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