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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB

总分
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

总分
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Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 14.4
    测试中的平均数值
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB 需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 73
    左右 -109% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.3 left arrow 1,423.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 5300
    左右 3.62 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    73 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    3,510.5 left arrow 14.4
  • 写入速度，GB/s
    1,423.3 left arrow 9.3
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    476 left arrow 2495

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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Kingston 9905734-003.A00G 32GB
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内存RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
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Kingston 9905625-139.A00G 16GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
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内存RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
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内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Kingston 9905630-033.A00G 16GB
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内存RAM
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Kingston XF875V-MIH 8GB
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内存RAM
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